用于光电子应用的基板的制造方法
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摘要
本发明涉及一种用于光电子应用的基板的制造方法，所述基板具有在最终载体上的至少一个活性氮化物层及最终载体与至少一个活性氮化物层之间的金属中间层，其中，所述方法包括以下步骤：制备辅助基板，其中将一个半导体氮化物层置于辅助载体上；金属化所述氮化物层一侧的所述辅助基板；将金属化的载体基板与所述最终基板相接合；以及在所述接合步骤之后移除所述辅助载体。本发明的目的是提供一种上述类型的可以提高活性氮化物层的结晶质量的方法。通过上述类型的以下方法来达到这一目的，在所述方法中，制备所述辅助基板的步骤包括：从大块半导体氮化物基板分离一部分；以及将所述部分转移到所述辅助载体上，从而在其上形成所述半导体氮化物层。
基本信息
专利标题 ：
用于光电子应用的基板的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101091234A
申请号 ：
CN200680001546.2
公开（公告）日 ：
2007-12-19
申请日 ：
2006-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
法布里斯·勒泰特布鲁斯·富尔
申请人 ：
硅绝缘体技术有限公司
申请人地址 ：
法国克罗勒斯
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
李辉
优先权 ：
CN200680001546.2
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20 H01L33/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2010-01-13 ：
授权
2008-02-13 ：
实质审查的生效
2007-12-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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