光电子装置及其制造方法
公开
摘要
一种光电子装置(100)。所述装置(100)包括：绝缘体上硅SOI晶片(120)，所述SOI晶片包括空腔(126)和输入波导(116)，所述输入波导(116)光学地耦合到所述空腔(126)中；以及镜(110)，所述镜位于所述空腔(126)内并且接合(128)到所述空腔的底床，所述镜(110)包括反射器(114)，所述反射器被配置成反射从所述SOI晶片(120)中的所述输入波导(116)接收到的光(124)。
基本信息
专利标题 ：
光电子装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114600017A
申请号 ：
CN202080077449.1
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-11-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张毅C-T·仇W·维斯A·S·纳格拉H·阿贝迪亚斯尔
申请人 ：
洛克利光子有限公司
申请人地址 ：
英国柴郡
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张昱
优先权 ：
CN202080077449.1
主分类号 ：
G02B6/125
IPC分类号 ：
G02B6/125 G02B6/132 G02B6/136 G02B6/42 B41F16/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导；包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/10
光波导式的
G02B6/12
集成光路类型
G02B6/122
基本光学元件，例如，传导光的光路
G02B6/125
弯转、分支或交叉
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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