用于对准半导体器件处理设备的系统和靶
专利权的终止
摘要

本实用新型提供了用于对准半导体器件处理设备的系统和靶。本实用新型所要解决的技术问题是克服在衬底处理系统设置程序期间处理腔室和机械手之间,或者处理腔室之间的对准问题。在本实用新型的一些技术方案中,提供了一种用于对准半导体器件处理设备的系统。该系统包括对准架,该对准架具有基座、与该基座耦接的至少一个托架以及激光器,该激光器与该至少一个托架耦合并适于将光束投射到处理腔室中从而使得处理腔室对准。本实用新型提供了多种其他技术方案。本实用新型的技术效果是通过使用激光对准架和/或靶以更有效且更精确对准半导体器件处理设备。

基本信息
专利标题 :
用于对准半导体器件处理设备的系统和靶
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720178052.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-10-12
授权号 :
CN201196949Y
授权日 :
2009-02-18
发明人 :
贾甘·兰加拉詹杰弗里·C·赫金斯马里奥·D·西尔韦蒂威廉·T·韦弗维克托·贝里特斯基
申请人 :
应用材料股份有限公司
申请人地址 :
美国加利福尼亚州
代理机构 :
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 :
徐金国
优先权 :
CN200720178052.3
主分类号 :
H01L21/00
IPC分类号 :
H01L21/00  H01L21/67  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2017-11-24 :
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : H01L 21/00
申请日 : 20071012
授权公告日 : 20090218
2012-02-15 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101283525419
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2007201780523
变更事项 : 专利权人
变更前 : 应用材料股份有限公司
变更后 : 应用材料公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国加利福尼亚州
变更后 : 美国加利福尼亚州
2009-02-18 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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