具有超高强度LED光源的无掩膜直写光刻机
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
摘要
本实用新型涉及在晶片、印刷电路板等衬底材料上印刷构图的具有超高强度LED光源的无掩膜直写光刻机。解决了单一的发光二极管发光量不能满足低倍率大视场面积无掩模光刻机照明要求的问题。该机光源包括两个以上的发光二极管；每一个发光二极管分别对应一个聚光透镜，其后部分别连接着耦合光纤，再连接着变芯光纤，变芯光纤对应着相干片。采用多粒发光二极管作为直写光刻机光源，多粒发光二极管同时发光，用多束导光光纤分别进行光能采集通过空间排列耦合，提高LED光强度。
基本信息
专利标题 ：
具有超高强度LED光源的无掩膜直写光刻机
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200820032698.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2008-02-27
授权号 ：
CN201159832Y
授权日 ：
2008-12-03
发明人 ：
张东涛
申请人 ：
芯硕半导体(中国)有限公司
申请人地址 ：
230601安徽省合肥市经济技术开发区乡村花园会所二楼
代理机构 ：
合肥金安专利事务所
代理人 ：
金惠贞
优先权 ：
CN200820032698.5
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2010-01-06 ：
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
放弃生效日 : 2008227
2008-12-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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