高频集成电路
发明专利申请公布后的驳回
摘要
一种具有静电保护元件的高频集成电路，在其输入/输出端上配备有作为静电保护元件的场效应晶体管，由此提供了良好的高频特性，并且提高了ESD电压的抵抗力。该高频集成电路具有高频电路(11)，其具有输入/输出端子，以及增强型场效应晶体管(13)，该晶体管在化合物半导体衬底形成并且放置在所述高频电路中，该晶体管的输入/输出端子中的一个端子连接到所述高频电路的输入/输出端子，另一端子连接到第一参考电位，并且晶体管的栅极经由电阻器(14)连接到第二参考电位。当从所述输入/输出端子施加了噪声或高电压脉冲时，场效应晶体管(13)的阻抗降低了，从而形成ESD保护。
基本信息
专利标题 ：
高频集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101546765A
申请号 ：
CN200910138831.4
公开（公告）日 ：
2009-09-30
申请日 ：
2005-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小浜一正
申请人 ：
索尼株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
王小衡
优先权 ：
CN200910138831.4
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04 H01L29/772 H01L23/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2015-01-21 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101710146445
IPC(主分类) : H01L 27/04
专利申请号 : 2009101388314
申请公布日 : 20090930
号牌文件序号 : 101710146445
IPC(主分类) : H01L 27/04
专利申请号 : 2009101388314
申请公布日 : 20090930
2009-11-25 ：
实质审查的生效
2009-09-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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