半导体器件的回流装置
授权
摘要
本发明公开一种回流装置,在该回流装置中使用蚁酸清洗处理物上的焊料电极的表面。该回流装置包括:炉,包括晶片接收区域、回流处理区域及取出区域,并具有由防护构件完全覆盖的内壁;蚁酸导入机构,安装在该回流处理区域中;惰性气体导入机构,在该炉内产生惰性气体氛围;加热器,用于蚁酸分解,充分散布在该炉的内壁与该防护构件之间;装载机,承载多个晶片至该晶片接收区域;卸载机,从该取出区域中卸出所述多个晶片;第一闸门,位于该装载机与该晶片接收区域之间;以及第二闸门,位于该取出区域与该卸载机之间。该回流装置能够实现两个或更多半导体晶片的批处理,也能够防止蚁酸对炉的腐蚀,并防止金属杂质(反应产物)飞散到晶片上。
基本信息
专利标题 :
半导体器件的回流装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN102825356A
申请号 :
CN201210284359.7
公开(公告)日 :
2012-12-19
申请日 :
2006-03-16
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
松井弘之松木浩久大竹幸喜
申请人 :
富士通半导体股份有限公司
申请人地址 :
日本神奈川县横滨市
代理机构 :
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 :
张浴月
优先权 :
CN201210284359.7
主分类号 :
B23K3/00
IPC分类号 :
B23K3/00 B23K3/08
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B23
机床;其他类目中不包括的金属加工
B23K
钎焊或脱焊;焊接;用钎焊或焊接方法包覆或镀敷;局部加热切割,如火焰切割;用激光束加工
B23K3/00
用于钎焊,如硬钎焊或脱焊的工具、设备或专用附属装置,不专门适用于特殊方法的
法律状态
2015-06-10 :
授权
2015-06-10 :
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101716052044
IPC(主分类) : B23K 3/00
专利申请号 : 2012102843597
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 富士通半导体股份有限公司
变更后权利人 : 株式会社索思未来
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川县横滨市
变更后权利人 : 日本神奈川县横滨市
登记生效日 : 20150519
号牌文件序号 : 101716052044
IPC(主分类) : B23K 3/00
专利申请号 : 2012102843597
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 富士通半导体股份有限公司
变更后权利人 : 株式会社索思未来
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川县横滨市
变更后权利人 : 日本神奈川县横滨市
登记生效日 : 20150519
2013-02-06 :
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101391741963
IPC(主分类) : B23K 3/00
专利申请号 : 2012102843597
申请日 : 20060316
号牌文件序号 : 101391741963
IPC(主分类) : B23K 3/00
专利申请号 : 2012102843597
申请日 : 20060316
2012-12-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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