非易失性存储器装置及其操作方法
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摘要

本发明提供了一种操作非易失性存储器装置的方法,所述方法包括:接收第一读命令;响应于第一读命令执行第一读出操作;以及接收第二读命令。所述方法还包括:当在完成第一读出操作之前接收到第二读命令时,在不执行恢复操作的情况下完成对应于第一读命令的存储器操作;以及响应于第二读命令执行第二读出操作。

基本信息
专利标题 :
非易失性存储器装置及其操作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN107045891A
申请号 :
CN201610944976.3
公开(公告)日 :
2017-08-15
申请日 :
2016-11-02
授权号 :
CN107045891B
授权日 :
2022-04-12
发明人 :
尹铉竣任载禹
申请人 :
三星电子株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 :
张帆
优先权 :
CN201610944976.3
主分类号 :
G11C16/26
IPC分类号 :
G11C16/26  G11C16/20  G11C16/34  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的,例如,FAMOS
G11C16/26
读出或读电路;数据输出电路
法律状态
2022-04-12 :
授权
2018-11-16 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/26
申请日 : 20161102
2017-08-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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