实现多个腔室匹配的方法和实现多个腔室匹配的装置
授权
摘要
本发明公开了一种实现多个腔室匹配的方法和装置。方法包括设定各腔室的初始工艺参数，其中，各所述腔室的初始工艺参数均相同；获取各所述腔室的实际硬件参数信息；根据所述实际硬件参数信息确定对应的所述腔室的工艺参数调整量；基于各所述腔室的所述工艺参数调整量和所述初始工艺参数，计算得到各所述腔室的实际工艺参数；将所述实际工艺参数下发至与其对应的各所述腔室，以使得各所述腔室的工艺输出结果相匹配。本发明的方法，可以使得各腔室之间的工艺输出结果匹配。并且，其可以将参数调整过程隐藏在系统中，省略掉了传统的腔室匹配方法中需要调节各个腔室的硬件和工艺参数的繁琐过程，简化了腔室匹配的工艺，提高生产效率，降低制作成本。
基本信息
专利标题 ：
实现多个腔室匹配的方法和实现多个腔室匹配的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110416111A
申请号 ：
CN201810402479.X
公开（公告）日 ：
2019-11-05
申请日 ：
2018-04-28
授权号 ：
CN110416111B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
李娟娟
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN201810402479.X
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2019-11-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20180428
申请日 : 20180428
2019-11-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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