一种光探测器原型器件的制备方法
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摘要
本发明公开了一种光探测器原型器件的制备方法，本发明在铜薄膜基底上生长石墨烯，通过热氧化在铜基底与石墨烯两者夹层中间生长氧化亚铜纳米厚度的二维薄膜，之后再石墨烯上表面制备空穴注入层聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)‑聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)薄膜，再在PEDOT:PSS薄膜上表面制备空穴传输层聚乙烯基咔唑(PVK)，最后在PVK薄膜表面制备金属电极完成器件的制备。本发明具有厚度薄、光响应快、柔性好的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种光探测器原型器件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109346611A
申请号 ：
CN201811124266.1
公开（公告）日 ：
2019-02-15
申请日 ：
2018-09-26
授权号 ：
CN109346611B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
吕燕飞徐竹华赵士超
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
代理机构 ：
杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
朱月芬
优先权 ：
CN201811124266.1
主分类号 ：
H01L51/48
IPC分类号 ：
H01L51/48 H01L51/42 H01L51/46
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2019-03-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/48
申请日 : 20180926
申请日 : 20180926
2019-02-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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