半导体器件和半导体系统
授权
摘要
本公开的实施例提供了半导体器件和半导体系统。半导体器件包括RF电路和微控制器。RF电路具有：生成发射信号的发射单元；生成第一生成信号和第二生成信号的接收单元；以及在将发射单元的输出端子耦合到发射天线并且将接收单元的输入端子耦合到接收天线的第一耦合状态与将发射单元的输出端子耦合到接收单元的输入端子的第二耦合状态之间进行切换的发射/接收环回切换单元。微控制器将发射/接收环回切换单元切换到第二耦合状态，并且微控制器基于当发射/接收环回切换单元处于第二耦合状态时的第二生成信号、以及基于第一传感器电路的输出信号，来执行RF电路的测试。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件和半导体系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109962743A
申请号 ：
CN201811544186.1
公开（公告）日 ：
2019-07-02
申请日 ：
2018-12-17
授权号 ：
CN109962743B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
森长也
申请人 ：
瑞萨电子株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
李辉
优先权 ：
CN201811544186.1
主分类号 ：
H04B17/14
IPC分类号 ：
H04B17/14 H04B1/401 H04B1/44
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2020-10-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H04B 17/14
申请日 : 20181217
申请日 : 20181217
2019-07-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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