无能源污染减速离子束的装置和技术
授权
摘要
一种离子植入系统可包括：离子源，产生离子束，衬底平台，设置在离子源的下游；以及减速级，包括使离子束偏转的组件，其中所述减速级设置在离子源与衬底平台之间。所述离子植入系统还可包括向减速级提供氢气的氢来源，其中从离子束产生的高能中性物质不散射到衬底平台。
基本信息
专利标题 ：
无能源污染减速离子束的装置和技术
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110622277A
申请号 ：
CN201880018810.6
公开（公告）日 ：
2019-12-27
申请日 ：
2018-03-12
授权号 ：
CN110622277B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
法兰克·辛克莱丹尼尔·泰格尔可劳斯·贝克
申请人 ：
瓦里安半导体设备公司
申请人地址 ：
美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号(邮递区号:01930)
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
张晓霞
优先权 ：
CN201880018810.6
主分类号 ：
H01J37/317
IPC分类号 ：
H01J37/317 H01J37/30
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/30
物体局部处理用的电子束管或离子束管
H01J37/317
用于改变物体的特性或在其上加上薄层的，如离子注入
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2020-01-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/317
申请日 : 20180312
申请日 : 20180312
2019-12-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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