高密度等离子体化学气相沉积制程形成氧化硅层的方法
授权
摘要
本发明公开一种高密度等离子体化学气相沉积(HDP‑CVD)制程形成氧化硅层的方法，包含以下步骤。首先进行装载步骤，将半导体基底置于等离子体反应室内的承载台上，接着进行预热步骤，包含通入预热气体至等离子体反应室。然后，进行沉积步骤，包含通入反应气体至等离子体反应室并开始于半导体基底上沉积氧化硅层，其中该承载台的一冷却系统于沉积步骤中为关闭，使半导体基底于沉积步骤中被逐渐加热至摄氏550度至600度之间。接着，进行吹除步骤，包含停止通入反应气体并通入吹除气体。最后进行卸载步骤，将该半导体基底移出该等离子体反应室。
基本信息
专利标题 ：
高密度等离子体化学气相沉积制程形成氧化硅层的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111424259A
申请号 ：
CN201910019452.7
公开（公告）日 ：
2020-07-17
申请日 ：
2019-01-09
授权号 ：
CN111424259B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
林艳兵谈文毅
申请人 ：
联芯集成电路制造(厦门)有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市翔安区万家春路八九九号
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN201910019452.7
主分类号 ：
C23C16/40
IPC分类号 ：
C23C16/40 C23C16/46 C23C16/505 H01L21/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/40
氧化物
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2020-08-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/40
申请日 : 20190109
申请日 : 20190109
2020-07-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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