一种曝光机校准测机的方法
授权
摘要
本发明提供一种曝光机校准测机的方法，提供晶圆，包括以下步骤：步骤S1，于晶圆上形成光阻层；步骤S2，以第一图案对光阻层进行曝光以得到第一类型层曝光图形；步骤S3，以第二图案对光阻层进行曝光以得到第二类型层曝光图形；步骤S4，对具有第一类型层曝光图形和第二类型层曝光图形的光阻层进行显影工艺；步骤S5，分别对进行显影工艺后的第一类型层曝光图形和第二类型层曝光图形进行量测；其中，第一图案和第二图案不重叠。本发明的有益效果在于：通过一次曝光完成两个层次的校准测机，从而缩短测机时间和提高机台利用率。
基本信息
专利标题 ：
一种曝光机校准测机的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110703562A
申请号 ：
CN201910907547.2
公开（公告）日 ：
2020-01-17
申请日 ：
2019-09-24
授权号 ：
CN110703562B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
桑林苗文佳
申请人 ：
华润微电子（重庆）有限公司
申请人地址 ：
重庆市沙坪坝区西永镇西永路367号四楼
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
俞涤炯
优先权 ：
CN201910907547.2
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2020-02-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20190924
申请日 : 20190924
2020-01-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
