微发光二极管的检测装置及方法
授权
摘要
本发明提供了一种微发光二极管的检测装置及方法，属于显示技术领域，所述微发光二极管的检测装置用于对设置在原始基板上的微发光二极管进行检测，微发光二极管远离原始基板的底部包括电极区域及非电极区域，电极区域设置有第一触点和第二触点；检测装置包括：检测基板和检测电路，其中：检测基板上设置有粘结层，粘结层用于测试时与原始基板粘结；检测电路包括设置于粘结层上的电极组，电极组包括第一电极及第二电极，第一电极用于测试时与微发光二极管的第一触点接触，第二电极用于测试时与微发光二极管的第二触点接触。本发明提供的微发光二极管的检测装置及方法，其能够降低微发光二极管显示器的修复难度。
基本信息
专利标题 ：
微发光二极管的检测装置及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112649711A
申请号 ：
CN201910969021.7
公开（公告）日 ：
2021-04-13
申请日 ：
2019-10-12
授权号 ：
CN112649711B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
夏继业
申请人 ：
成都辰显光电有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区天映路146号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
张海明
优先权 ：
CN201910969021.7
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01M11/00 G01J1/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2021-04-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20191012
申请日 : 20191012
2021-04-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
