金属硬质掩模一体化刻蚀方法及其控制系统
授权
摘要
本发明公开了一种用于半导体生产制造工艺的金属硬质掩模一体化刻蚀方法，包括执行通孔刻蚀，实时反馈通孔刻蚀RFVpp参数，执行原位去胶，根据实时反馈通孔刻蚀RFVpp参数实时计算沟槽刻蚀步骤的实际刻蚀时间，根据所述实际刻蚀时间执行沟槽刻蚀。发明还公开了一种用于半导体生产制造工艺的金属硬质掩模一体化刻蚀控制系统。本发明通过监控通孔刻蚀步骤的RFVpp参数的变化来实时调整沟槽刻蚀时间，以应对腔体环境实时变化，进而得到每批次片间产品间一致的残膜厚度，以保证作业制品片间残膜厚度具有一致性。
基本信息
专利标题 ：
金属硬质掩模一体化刻蚀方法及其控制系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110867374A
申请号 ：
CN201911162919.X
公开（公告）日 ：
2020-03-06
申请日 ：
2019-11-25
授权号 ：
CN110867374B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
黄达斐吴晓彤
申请人 ：
上海华力微电子有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区自由贸易试验区高斯路568号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
焦天雷
优先权 ：
CN201911162919.X
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2020-03-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/311
申请日 : 20191125
申请日 : 20191125
2020-03-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
