一种金属层的刻蚀方法

授权

摘要

本发明提供了一种金属层的刻蚀方法，涉及半导体技术领域，能够实现对金属层较精细的刻蚀，提高刻蚀后金属层表面的平滑度和均匀度。该方法包括：步骤S1：采用氧化性气体对待刻蚀的金属层进行氧化，将金属层的表层氧化成金属氧化层；步骤S2：采用刻蚀气体对金属氧化层进行刻蚀，去除金属氧化层；循环执行步骤S1和步骤S2，直至金属层的厚度为所需要的厚度为止。上述方法用于刻蚀金属层。

基本信息

专利标题：

一种金属层的刻蚀方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN106548936A

申请号：

CN201510614154.4

公开（公告）日：

2017-03-29

申请日：

2015-09-23

授权号：

CN106548936B

授权日：

2022-04-22

发明人：

谢秋实

申请人：

北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

申请人地址：

北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼

代理机构：

北京中博世达专利商标代理有限公司

代理人：

申健

优先权：

CN201510614154.4

主分类号：

H01L21/3213

IPC分类号：

H01L21/3213

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/31

在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择

H01L21/3205

非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理

H01L21/321

后处理

H01L21/3213

对该层进行物理的或化学的腐蚀，例如由预沉积的外延层产生一个形成图形的层

法律状态

2022-04-22 ：

授权

2017-10-24 ：

著录事项变更

IPC(主分类) : H01L 21/3213
变更事项 : 申请人
变更前 : 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
变更后 : 北京北方华创微电子装备有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100026 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼
变更后 : 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

2017-04-26 ：

实质审查的生效

号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101715359438
IPC(主分类) : H01L 21/3213
专利申请号 : 2015106141544
申请日 : 20150923

2017-03-29 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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