一种安全的单晶炉炉底板
授权
摘要
本实用新型提供一种安全的单晶炉炉底板，其安装在单晶炉底座支架上，其上安装主炉室，单晶炉炉底板包括炉底本体、供坩埚杆通过的坩埚杆孔、抽气孔、电极孔、炉内热场安装面、水封板、炉底水冷槽环路、进水口和出水口，炉内热场安装面位于炉底本体上部，为整板无焊缝加工而成，其位于单晶炉炉腔真空室内部，水封板和炉底本体下部焊接，位于单晶炉炉腔真空室外部，炉底水冷槽环路位于炉底本体和水封板之间，进水口位于坩埚杆孔侧壁，出水口位于单晶炉炉底板边缘处。本实用新型采用焊缝在真空室外部的设计，防止漏水对人员和设备产生不安全隐患；坩埚杆孔、电极孔和抽气孔的内壁均采用双面焊接结构，加强了真空室内部焊缝的安全性。
基本信息
专利标题 ：
一种安全的单晶炉炉底板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920484429.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-10
授权号 ：
CN210065977U
授权日 ：
2020-02-14
发明人 ：
焦尚彬蒋剑
申请人 ：
西安理工大学
申请人地址 ：
陕西省西安市金花南路5号
代理机构 ：
北京国昊天诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨洲
优先权 ：
CN201920484429.0
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-02-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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