本实用新型涉及掩膜版技术领域，尤其涉及一种高精度硅物理掩膜版。硅物理掩膜版分为支撑框架和精细图形挡板两层，上层为精细图形挡板，下层为支撑框架，具体结构如下：支撑框架中间开设支撑框架窗口，在精细图形挡板中间与支撑框架窗口相应处，开设镀层图形窗口。该掩膜版使用的原材料为双抛双面氮化硅的单晶硅片，在单晶硅片的一侧采用光刻和深硅刻蚀的方法刻蚀出一定深度的图形；在单晶硅片的另一侧采用光刻、反应离子刻蚀和湿法刻蚀等技术，使图形区域镂空，并保证其刚度，形成最小缝隙可小于2μm的高精度硅基物理掩膜版。相较于普通金属物理掩膜版，本实用新型具有精度高、图形尺寸可达几微米甚至百纳米的优点。