一种网状结构等离子体化学气相沉积载片盘
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摘要
本实用新型公开了一种网状结构等离子体化学气相沉积载片盘，涉及半导体制造技术领域，包括圆柱形的载片台；载片台的上端面设有一定深度的圆槽；圆槽与所述载片台同轴设置；圆槽的底部设有按一定间距均匀布置的网状凸起；网状凸起的横截面小于所述晶圆片的直径；还包括圆形的载片篮；载片篮的直径小于或等于所述圆槽的直径；载片篮的高度大于或等于圆槽的深度；载片篮的底部设有与圆槽底部匹配的网状通孔；网状凸起与网状通孔的纵向深度可匹配形成平面。本实用新型通过载片篮与载片台网状结构的匹配，替代了传统镊子上下片的方式，能够减少操作中产生的掉片、刮伤、脏污、芯片崩裂等异常的产生；提高作业效率，减少加工时间从而降低加工成本。
基本信息
专利标题 ：
一种网状结构等离子体化学气相沉积载片盘
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920526759.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-17
授权号 ：
CN209974886U
授权日 ：
2020-01-21
发明人 ：
曲迪杨毅白国人王磊陈墨李淼
申请人 ：
天津华慧芯科技集团有限公司
申请人地址 ：
天津市滨海新区生态城中天大道1620号生态科技园启发大厦12层101
代理机构 ：
天津市鼎和专利商标代理有限公司
代理人 ：
许爱文
优先权 ：
CN201920526759.1
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458 C23C16/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2020-01-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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