非易失性存储器装置
授权
摘要
本实用新型的实施例涉及非易失性存储器装置。一种非易失性存储器装置具有与连接到存储器单元的位线相关联的电路分支。当读取存储器单元时,在预充电步骤中,对位线进行预充电。在特性漂移步骤中,存储器单元被激活,并且电流源被激活以向第一位线提供漂移电流,并且基于存储在存储器单元中的数据来引起位线进行充电或放电。在检测步骤中,电流源被去激活,存储器单元被去耦,并且位线耦合到比较器级的输入,该比较器级将位线上的电压与参考电压进行比较,以提供指示存储在存储器单元中的数据的输出信号。
基本信息
专利标题 :
非易失性存储器装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920605261.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-04-29
授权号 :
CN210015710U
授权日 :
2020-02-04
发明人 :
G·卡姆帕尔多R·安农齐亚塔P·祖里亚尼
申请人 :
意法半导体股份有限公司
申请人地址 :
意大利阿格拉布里安扎
代理机构 :
北京市金杜律师事务所
代理人 :
王茂华
优先权 :
CN201920605261.4
主分类号 :
G11C16/26
IPC分类号 :
G11C16/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的,例如,FAMOS
G11C16/26
读出或读电路;数据输出电路
法律状态
2020-02-04 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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