一种垂直异质结材料及化学气相沉积装置
授权
摘要
本实用新型属于化学气相沉积领域，具体公开了一种垂直异质结材料及化学气相沉积装置，公开的垂直异质结材料为由石墨烯类材料和过渡金属二硫族化物材料组成的至少两层结构的垂直异质结；其中，所述石墨烯类材料和所述过渡金属二硫族化物材料均采用化学气相沉积法制备；所述石墨烯类材料为所述过渡金属二硫族化物材料的基底材料。本实用新型提供的化学气相沉积装置能够实现包含过渡金属二硫族化物(TMDs)的多层异质结的生长，为基于过渡金属二硫族化物(TMDs)的多层异质结的研究提供基础和支撑。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直异质结材料及化学气相沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920767825.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-24
授权号 ：
CN209929310U
授权日 ：
2020-01-10
发明人 ：
孔伟成赵勇杰
申请人 ：
合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市合肥市高新区创业产业园二期E2栋6层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920767825.4
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/16 H01L29/165 H01L29/225 C23C16/26 C23C16/30 C23C16/44
法律状态
2020-01-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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