一种降低能耗的肖特基二极管芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种降低能耗的肖特基二极管芯片，涉及一种半导体器件，包括硅片衬底，硅片衬底的底部设有镀硼层，硅片衬底顶部设有镀磷层，硅片表面设有掺淡硼扩散层P和掺浓硼扩散层P+，在半导体硅片N+衬底上设置有N‑外延层；在N‑外延层上刻蚀形成硅沟槽，在硅沟槽内通过高温氧化与扩散方式将杂质硼扩散至一定深度形成P+有源区，在P+有源区表面通过高温氧化形成一定厚度的氧化层。本实用新型通过切割加腐蚀的方式在芯片上划出V型槽，增加了芯片的有效接触面积，降低了二极管的功率，从而降低了芯片的能耗，更加节能环保。
基本信息
专利标题 ：
一种降低能耗的肖特基二极管芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920980336.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-26
授权号 ：
CN210575961U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
燕云峰
申请人 ：
东莞市纽航电子有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市莞城东城南路东升大厦7楼701之06号
代理机构 ：
东莞市中正知识产权事务所(普通合伙)
代理人 ：
成伟
优先权 ：
CN201920980336.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/872 H01L21/329
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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