一种降低反向漏电流的肖特基二极管
公开
摘要
本发明提供了一种降低反向漏电流的肖特基二极管，其特征在于，包括阴极金属、连接在所述阴极金属上端的硅衬底、形成于所述硅衬底上端的硅外延层，所述硅外延层上端内侧形成有向下凹陷的凹槽，所述凹槽内设有与所述硅外延层相接触的金属触片，所述硅外延层上端边缘经过掺磷后形成P型半导体层，所述金属触片的底面与所述P型半导体层的底面在同一水平面上，所述金属触片上端连接有正温度系数热敏电阻，所述P型半导体层上端连接有负温度系数热敏电阻，所述正温度系数热敏电阻与所述负温度系数热敏电阻上端共同连接有阳极金属。本发明的肖特基二极管，能够解决高温反向漏电流大的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种降低反向漏电流的肖特基二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566552A
申请号 ：
CN202210157094.8
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈志耀
申请人 ：
先之科半导体科技（东莞）有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市寮步镇寮步百业路70号1栋、2栋
代理机构 ：
东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何新华
优先权 ：
CN202210157094.8
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L23/34 H01L23/367 H01L29/06
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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