一种降低正向压降的肖特基二极管
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摘要
本实用新型提供了一种降低正向压降的肖特基二极管，第一导电类型碳化硅漂移层一，位于第一导电类型碳化硅衬底的正面；一第一导电类型碳化硅漂移层二，位于第一导电类型碳化硅漂移层一上；第二导电类型的有源注入区以及第二导电类型JTE注入区设于第一导电类型碳化硅漂移层一以及第一导电类型碳化硅漂移层二上；一场氧层，位于第一导电类型碳化硅漂移层二上；一正面接触金属，正面接触金属设于第一导电类型碳化硅漂移层二的正面，且正面接触金属一侧面连接至场氧层一侧面；一背面接触金属，位于第一导电类型碳化硅衬底的背面；在降低正向压降的同时可以兼顾器件的反向漏电流。
基本信息
专利标题 ：
一种降低正向压降的肖特基二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920949818.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-21
授权号 ：
CN210467847U
授权日 ：
2020-05-05
发明人 ：
张瑜洁刘刚宋安英
申请人 ：
泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B区1号楼106A、113A、115A、117A、119A、121A
代理机构 ：
福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
宋连梅
优先权 ：
CN201920949818.6
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/872 H01L21/329
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法律状态
2020-05-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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