一种新型的超低压降肖特基二极管
授权
摘要
本实用新型的主要目的为提供一种新型的超低压降肖特基二极管，此二极管在高浓度的衬底片上表面先光刻腐蚀多条沟槽，然后外延生长低浓度层，在上表面和沟槽处形成金属势垒和正面金属电极，在背面形成背电极。多槽结构增大了势垒区的表面积，极大地增加了单位芯片的电流，在同等芯片面积情况下，正向导通电流极大地增加，同等电流下，正向压降大幅降低，达到了超低正向的效果。
基本信息
专利标题 ：
一种新型的超低压降肖特基二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020396560.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-25
授权号 ：
CN212010987U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
杨朔
申请人 ：
上海安微电子有限公司
申请人地址 ：
上海市徐汇区桂平路680号33幢303-45室
代理机构 ：
合肥律众知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙海丽
优先权 ：
CN202020396560.4
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/06 H01L21/329
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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