可降低正向导通压降的肖特基二极管
授权
摘要
本实用新型公开了一种可降低正向导通压降的肖特基二极管，属于肖特基二极管领域，包括二极管主体，所述二极管主体的外侧连接有散热板，且散热板的外侧连接由散热铝片，所述散热板的内侧设置有导热硅脂，所述二极管主体的一端连接有正极引脚，且正极引脚的外侧设置有导热层，所述正极引脚的一端连接有第一连接片。本实用新型通过设置的导热层、正极引脚和负极引脚实现了导热层外侧的二氧化硅为很好的导电材料，所以使得正极引脚和负极引脚的温度升高，从而根据正向压降与温升变化是呈线性变化的关系可以使得肖特基二极管的正向压降降低，将正向压降控制在一个较低的范围内，使得肖特基二极管可以运行更加流畅。
基本信息
专利标题 ：
可降低正向导通压降的肖特基二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920454348.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-04
授权号 ：
CN209471973U
授权日 ：
2019-10-08
发明人 ：
王志强
申请人 ：
深圳市和芯电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区松岗街道红星社区格布统建楼3栋25层2505-2508号
代理机构 ：
北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
汤东凤
优先权 ：
CN201920454348.6
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L23/48 H01L23/367 H01L23/544
法律状态
2019-10-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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