一种降低正向开启电压的肖特基二极管
授权
摘要
本发明提供了一种降低正向开启电压的肖特基二极管，包括阴极金属层、N型硅衬底、N‑硅外延层、阳极金属层、二氧化硅钝化层；所述阳极金属层下端依次设有n个沟槽，n为大于等于3的奇数；第(n+1)/2个所述沟槽与所述N型硅衬底之间形成的压降大于其余的所述沟槽与所述N型硅衬底之间形成的压降；第1个所述沟槽至第(n+1)/2沟槽沿水平面方向的投影面积逐渐减小，第(n+1)/2个所述沟槽至第n个所述沟槽沿水平面方向的投影面积逐渐增大。本发明提供一种降低正向开启电压的肖特基二极管，能够解决普通肖特基二极管出现的反向漏电电流大、正向击穿电压大问题。
基本信息
专利标题 ：
一种降低正向开启电压的肖特基二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113851544A
申请号 ：
CN202111116527.7
公开（公告）日 ：
2021-12-28
申请日 ：
2021-09-23
授权号 ：
CN113851544B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
周勇
申请人 ：
先之科半导体科技（东莞）有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市寮步镇寮步百业路76号1栋103室
代理机构 ：
东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何新华
优先权 ：
CN202111116527.7
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/06
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2022-01-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/872
申请日 : 20210923
申请日 : 20210923
2021-12-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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