一种阻容一体芯片器件
授权
摘要
本实用新型涉及电子元器件技术领域，公开了一种阻容一体芯片器件，包括陶瓷介质体、设置于陶瓷介质体下表面的第一电极、以及设置于陶瓷介质体上表面的阻容层，所述阻容层包括第二电极、薄膜电阻和第三电极，所述第二电极与所述薄膜电阻的第一端连接，所述薄膜电阻的第二端与所述第三电极连接，所述第二电极与第三电极之间设置有通道，所述通道将第二电极与第三电极隔离。本实用新型将薄膜电阻器和芯片电容器集成于一只芯片上并使其串联连接，减少安装过程中的焊接次数，提高产品安装后的性能和一致性，减少安装面积，以便于实现微电子器件的小型化、集成化。
基本信息
专利标题 ：
一种阻容一体芯片器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920994732.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-28
授权号 ：
CN210040189U
授权日 ：
2020-02-07
发明人 ：
曹志学彭小丽常乐唐涛朱兰芳
申请人 ：
成都宏科电子科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市经济技术开发区（龙泉驿）星光中路20号
代理机构 ：
成都睿道专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陶红
优先权 ：
CN201920994732.5
主分类号 ：
H01L23/64
IPC分类号 ：
H01L23/64 H01L23/49 H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
法律状态
2020-02-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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