一种双面散热半导体IGBT管
授权
摘要
本实用新型公开了一种双面散热半导体IGBT管，包括半导体IGBT管，半导体IGBT管的正反面分别贴装导热层，正反面贴装的导热层在半导体IGBT管上形成双面散热结构，半导体IGBT管与导热层之间均设置有一层绝缘层，半导体IGBT管上的热量通过绝缘层传递给导热层散热，半导体IGBT管的两侧分别设置一个以上的连接脚。本实用新型采用双面散热的方式，体积小电流做得更大，节省空间使空气流动快，散热更有效，不用螺丝固定，双面压紧就行，省去人工和材料费。
基本信息
专利标题 ：
一种双面散热半导体IGBT管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921005765.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-01
授权号 ：
CN209880590U
授权日 ：
2019-12-31
发明人 ：
陈微微林世科
申请人 ：
深圳市红邦半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区福海街道新田社区征程一路14-2号501
代理机构 ：
深圳市远航专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
张朝阳
优先权 ：
CN201921005765.9
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2019-12-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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