片状体交接装置及采用该装置的硅片膜厚测量系统
授权
摘要
本实用新型涉及一种片状体交接装置及采用该装置的硅片膜厚测量系统。具体地，本实用新型的片状体交接装置包括上片手、下片手、驱动装置和交接支座；其中，所述上片手和所述下片手与所述驱动装置的输出轴直接或间接固定联接，并且所述上片手位于所述下片手下方且所述上片手和所述下片手之间形成有通道；以及所述驱动装置固定于所述交接支座。本实用新型的片状体交接装置交接效率高、结构简单，且具备硅片的定心功能。
基本信息
专利标题 ：
片状体交接装置及采用该装置的硅片膜厚测量系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921088507.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-12
授权号 ：
CN210272290U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
吴火亮
申请人 ：
上海隐冠半导体技术有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区南汇新城镇环湖西二路888号C楼
代理机构 ：
上海上谷知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡继清
优先权 ：
CN201921088507.1
主分类号 ：
H01L21/677
IPC分类号 ：
H01L21/677 H01L21/68 H01L21/687 G01B21/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/677
用于传送的，例如在不同的工作站之间
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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