一种光伏硅片超声清洗设备
授权
摘要
本申请公开了一种光伏硅片超声清洗设备，包括排水槽；排水槽内设置有超声清洗槽；排水槽的底部设置有排污电机；排污电机的转轴上焊接连接有搅拌轴；搅拌轴贯通伸入超声清洗槽内设置；搅拌轴的端部设置有排污扇叶；超声清洗槽连通的设置有进水管；进水管连通至清洗液储箱；进水管上设置有供水泵及进水阀门；排水槽设置有排水管；排污扇叶的上方固定设置有支撑网格；支撑网格的上方固定设置有架板；架板上均匀的开设有若干硅片通槽；超声清洗槽相对的两侧壁顶端对称的设置有溢流开口槽。本实用新型结构简单，清洗效果好，节约水资源。
基本信息
专利标题 ：
一种光伏硅片超声清洗设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921165562.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-24
授权号 ：
CN210006701U
授权日 ：
2020-01-31
发明人 ：
冯艳红
申请人 ：
天津创昱达光伏科技有限公司
申请人地址 ：
天津市宝坻区黄庄镇产业功能区一号路东4号
代理机构 ：
北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
宋平
优先权 ：
CN201921165562.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L31/18 B08B3/12 B08B3/04 B08B3/14
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-01-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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