一种用于防止非靶材料溅射的装置
授权
摘要
一种用于防止非靶材料溅射的装置，适用于解决现有磁控溅射技术中的周圈间隙放电导致外框的原子被溅射出来污染膜层的问题，包括一圈绝缘材料和一圈高磁导率的软磁材料，分别简称绝缘层和软磁层。绝缘层和软磁层被紧密安装在磁控溅射阴极靶外框的外侧，绝缘层在外框和软磁层之间。软磁层选用易饱和、高磁导率的软磁材料制作。绝缘层采用耐高温的聚合物制作。该装置能够有效消除靶材侧面打火和溅射出非靶材料的可能性，并具有磁屏蔽作用，并可大幅降低对屏蔽罩或外框的加工精度要求。
基本信息
专利标题 ：
一种用于防止非靶材料溅射的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921338676.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-19
授权号 ：
CN210341047U
授权日 ：
2020-04-17
发明人 ：
高瑞峰周骏贵祁雪峰
申请人 ：
南京市产品质量监督检验院;高瑞峰
申请人地址 ：
江苏省南京市建邺区嘉陵江东街3号质监大厦1910室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921338676.6
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-04-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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