一种温差水热法生长大尺寸体单晶的装置
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摘要
本实用新型公开了一种温差水热法生长大尺寸体单晶的装置，包括高压釜和对高压釜进行加热的加热炉，高压釜包括釜体及设置于釜体内的水热反应容器，该水热反应容器内存在溶解区和结晶区，在釜体外壁上套设有导热筒，所述的导热筒包括上、下导热筒及设置于二者之间的隔热阻挡层，其中上导热筒在纵向方向上的高度及其套装位置均对应于水热反应容器内的结晶区，下导热筒在纵向方向上的高度及其套装位置均对应于水热反应容器内的溶解区，上、下导热筒均由导热性好的金属或非金属制成，隔热阻挡层由导热性差的材料制成。本实用新型所述装置能够更为精准地控制温度，使高压釜生长区处于上下不同位置的晶体都具有均匀的生长速度。
基本信息
专利标题 ：
一种温差水热法生长大尺寸体单晶的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921423936.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-29
授权号 ：
CN210314557U
授权日 ：
2020-04-14
发明人 ：
周海涛张昌龙胡章贵李东平左艳彬何小玲
申请人 ：
桂林百锐光电技术有限公司;中国有色桂林矿产地质研究院有限公司;天津理工大学
申请人地址 ：
广西壮族自治区桂林市七星区铁山路20号
代理机构 ：
桂林市持衡专利商标事务所有限公司
代理人 ：
唐智芳
优先权 ：
CN201921423936.X
主分类号 ：
C30B7/10
IPC分类号 ：
C30B7/10 C30B29/16
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B7/00
常温液态溶剂之溶液，例如水溶液的单晶生长；用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B11/00；在保护流体下的入C30B27/00）
C30B7/10
加压法，例如水热法
法律状态
2020-04-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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