一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置及方法
实质审查的生效
摘要
本专利技术属于化合物半导体晶体生长领域，具体公开一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置及方法，包括支撑系统和石英安瓿瓶，石英安瓿瓶放置于支撑系统上，所述支撑系统包括外保温层，所述外保温层距离顶部和底部一定距离的横截面上设置有第一控温层和第二控温层，所述第一控温层和第二控温层上分别设置有三个间隔120゜阵列分布矩形孔，所述第一控温层上的矩形孔和第二控温层上的6个矩形孔错位按间隔60゜阵列分布，第一控温层与外保温层顶部之间的距离L和第二控温层与外保温层底部之间的距离L相等，且外保温层的外径D与L之间的比例系数为1.5，改进后的保温和散热装置能生长大尺寸、低位错的晶体。
基本信息
专利标题 ：
一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318495A
申请号 ：
CN202111581919.0
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
韩家贤韦华何永彬王顺金吕春富李国芳刘吉才唐康中
申请人 ：
云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
申请人地址 ：
云南省昆明市高新技术开发区新城高新技术产业基地B-5-5地块
代理机构 ：
昆明祥和知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘敏
优先权 ：
CN202111581919.0
主分类号 ：
C30B11/00
IPC分类号 ：
C30B11/00 C30B29/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 11/00
申请日 : 20211222
申请日 : 20211222
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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