一种晶圆化镀设备快排清洗槽装置
授权
摘要
本实用新型揭示了一种晶圆化镀设备快排清洗槽装置，包括槽体和设置在槽体底部的溢流机构，溢流机构包括竖直设置的进水管和水平设置在进水管顶端的分布头，进水管的底端内壁上凸起设有台面，分布头包括圆弧板、连接座、导流板、分流柱、侧挡板，圆弧板上沿周向间隔均匀设有多排溢流孔，多排溢流孔孔径由圆弧板顶部向两侧底部逐渐加大，分流柱与连接座固定连接且贯穿分布空间设置，分流柱底面为圆弧面，圆弧面轴线垂直于圆弧板和进水管的轴线。本实用新型进水管从分布头中部进水，进水管底端管径小于顶端管径，分布空间中间大两头小的空间构造，圆弧板上溢流孔的孔径变化设计，以及分流柱结构，使得各个溢流孔喷出的水流均匀，清洗效果好。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆化镀设备快排清洗槽装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921594983.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-24
授权号 ：
CN210325718U
授权日 ：
2020-04-14
发明人 ：
陈利锋陈素荣何婷婷王福亮何虎赵芹
申请人 ：
江苏芯梦半导体设备有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴中经济开发区南湖路66号8幢101室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921594983.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-04-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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