一种具有氮化镁壳层的氧化镍/锌镍氧/氧化锌器件
授权
摘要

本实用新型属于半导体器件技术领域,提供一种具有氮化镁壳层的氧化镍/锌镍氧/氧化锌器件,包括氧化锌薄层、氧化镍薄层、锌镍氧超薄层和氮化镁层。该器件充分发挥氧化锌材料在辐射探测方面的耐高温耐辐照的特性,通过引入具有空穴导电特性的氧化镍层,克服氧化锌难以获得稳定空穴导电特性的严重劣势,进而形成基于PN结构的结型辐射探测器件。该器件中增加了锌镍氧超薄层,利用该层所产生的极化诱导作用,减少器件界面对载流子的俘获,提高器件电学性能;同时将氧化锌单晶设计成梯形截面的圆台,在器件周围增加氮化镁壳层,利用其高阻特性及在ZnO单晶侧面形成的反型层,有效解决器件漏电问题,进而降低器件的漏电流噪声,显著提升器件性能。

基本信息
专利标题 :
一种具有氮化镁壳层的氧化镍/锌镍氧/氧化锌器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921650552.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-09-30
授权号 :
CN210272381U
授权日 :
2020-04-07
发明人 :
凤天宏
申请人 :
东北财经大学
申请人地址 :
辽宁省大连市沙河口区尖山街217号
代理机构 :
大连理工大学专利中心
代理人 :
温福雪
优先权 :
CN201921650552.1
主分类号 :
H01L31/0216
IPC分类号 :
H01L31/0216  H01L31/0352  
法律状态
2020-04-07 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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