一种晶片承载盘
授权
摘要
本申请提供了晶片承载盘，涉及半导体制造领域。所述晶片承载盘包括至少一个凹槽，该凹槽包括第一内壁；第二内壁，设于相邻两个所述第一内壁之间；以及片托，设置于所述第二内壁处。本申请中的晶片承载盘可解决晶片2中心区域和边缘区域受热不均的问题，晶片2的波长均匀性更好。
基本信息
专利标题 ：
一种晶片承载盘
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921662468.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-30
授权号 ：
CN211112316U
授权日 ：
2020-07-28
发明人 ：
刘慰华刘凯程凯
申请人 ：
苏州晶湛半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室
代理机构 ：
北京布瑞知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟潭
优先权 ：
CN201921662468.1
主分类号 ：
C30B25/12
IPC分类号 ：
C30B25/12 C23C16/458
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/12
衬底夹持器或基座
法律状态
2020-07-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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