晶片承载盘保护层的制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种晶片承载盘保护层的制造方法，用以在机台反应室中承载晶片进行晶片制造工艺或清洗程序时，提高该承载盘的抗蚀性，其中主要提供有以石墨与陶瓷基材为主要材质的晶片承载盘，该承载盘正面上设有用以容置承载晶片的容置空间，然后在欲涂布于承载盘表面的碳化硅加入具有耐高温特性的环氧树脂，组合成混合物，通过浸泡程序使该混合物直接覆盖于承载盘外表面，经过烘烤程序后形成均匀保护层，以降低承载盘表面产生剥落或形变的机会。
基本信息
专利标题 ：
晶片承载盘保护层的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101024213A
申请号 ：
CN200610007915.0
公开（公告）日 ：
2007-08-29
申请日 ：
2006-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈国栋
申请人 ：
陈国栋
申请人地址 ：
中国台湾
代理机构 ：
北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
余朦
优先权 ：
CN200610007915.0
主分类号 ：
B05D1/00
IPC分类号 ：
B05D1/00 B05D7/24 B05D3/02 H01L21/673 C23C16/54 C23C16/513
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B05
一般喷射或雾化；对表面涂覆流体的一般方法
B05D
对表面涂布流体的一般工艺
B05D1/00
涂布液体或其他流体的工艺
法律状态
2009-12-30 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-10-24 ：
实质审查的生效
2007-08-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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