一种晶片承载机构及半导体工艺设备
授权
摘要
本实用新型提供了一种晶片承载机构及半导体工艺设备，涉及等离子体设备领域，为解决现有半导体工艺设备很难满足多种不同高温工艺的需要的问题而设计。该晶片承载机构用于半导体工艺设备，包括安装支架、承载盘、加热器和冷却结构，其中，安装支架固定设置在工艺腔室中，加热器设置于安装支架上，且加热器与安装支架之间形成容纳空间；冷却结构位于容纳空间内，且通过调距组件安装于安装支架，调距组件用于调节冷却结构与加热器的间距；承载盘设置在加热器上，且承载盘与加热器贴合。该半导体工艺设备包括上述晶片承载机构。本实用新型提供的晶片承载机构及半导体工艺设备能够满足多种不同高温工艺的需要。
基本信息
专利标题 ：
一种晶片承载机构及半导体工艺设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022404539.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-26
授权号 ：
CN213951334U
授权日 ：
2021-08-13
发明人 ：
于斌
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王献茹
优先权 ：
CN202022404539.7
主分类号 ：
C23C14/50
IPC分类号 ：
C23C14/50 C23C14/54 H01L21/673 H01L21/683 H01L21/67 H01J37/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/50
基座
法律状态
2021-08-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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