本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其承载装置。该承载装置设置于工艺腔室以用于承载晶圆，其包括：承载盘、射频结构及控温结构；承载盘层叠设置于射频结构上，并且承载盘用于承载晶圆；射频结构的底部与一升降装置连接，用于在升降的带动下移动至第一位置，以向承载盘加载射频功率；控温结构设置于射频结构的底部，控温结构内容置有流体；当射频结构在升降装置的带动下移动至第二位置时，控温结构与射频结构层叠设置，射频结构用于向控温结构加载射频功率，使流体产生热量以调节承载盘的温度。本申请实施例不仅大幅降低现有技术中静电卡盘的制作难度，而且还能大幅降低应用及维护成本，并且大幅提高承载盘的一致性及稳定性。