本申请实施例提供了一种半导体工艺设备的承载装置。该承载装置设置于工艺腔室内，包括：基座、承载件以及限位环结构；限位环结构套设于基座的外周，内周壁与基座的外周壁之间形成有吹气流道及第一匀流空间，第一匀流空间与吹气流道连通；承载件与基座相互叠置且位于基座的下方，并且承载件与基座之间设置有气流道结构；气流道结构通过连接流道与第一匀流空间连通；气流道结构用于将吹扫气体通过连接流道输送至第一匀流空间；第一匀流空间用于对吹扫气体进行匀流；吹气流道用于将匀流后的吹扫气体吹出，以对晶圆的底面及侧面进行吹扫。本申请实施例实现了边缘吹气对晶圆的底面及侧面气流场影响是一致的，从而大幅提高了工艺均匀性及工艺良率。