半导体工艺设备及其磁控管机构
公开
摘要
本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其磁控管机构。该磁控管机构应用于半导体工艺设备，包括：背板、外磁极、内磁极及导磁组件；外磁极设置于背板的底面上，并且在底面上围成一容置空间；内磁极设置于背板的底面上，并且位于容置空间内；导磁组件为导磁材质制成，导磁组件设置于背板的底面上，并且位于两相邻的外磁极及内磁极之间，用于引导磁场强度均匀分布。本申请实施例实现了在外磁极及内磁极之间形成较均匀分布的水平磁场，使得靶材附近的磁感应线基本与靶材平行，大幅提高了靶材的利用率，尤其对于钛或金等贵金属靶材的情况，进而大幅降低应用成本。
基本信息
专利标题 ：
半导体工艺设备及其磁控管机构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582690A
申请号 ：
CN202210198432.2
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
董彦超王世如杨玉杰
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN202210198432.2
主分类号 ：
H01J23/10
IPC分类号 ：
H01J23/10 H01J25/50 H01L21/203 C23C14/35
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J23/00
H01J25/00组中各种渡越时间型电子管的零部件
H01J23/02
电极；磁控装置；屏
H01J23/10
沿所需路径如螺旋路径导引或偏转电子流的磁系统
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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