一种芯片镀膜用真空镀膜仪
授权
摘要
本实用新型涉及一种芯片镀膜用真空镀膜仪，包括镀膜容器、铰接于镀膜容器且将镀膜容器内腔封闭的盖板、位于盖板靠近镀膜容器内腔的端面的两个正负极夹持部件、内置于镀膜容器的样品放置台和保证镀膜容器内腔为真空环境的抽气装置，所述夹持部件包括水平滑移连接于所述盖板的下夹持件和铰接于所述下夹持件的上夹持件，上夹持件与下夹持件的铰接点靠近盖板，所述盖板设置有驱动下夹持件滑移以调节两个正负极夹持部件的间距的驱动装置，具有方便调节两正负极夹持部件之间的间距。提高经济效益的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种芯片镀膜用真空镀膜仪
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921720230.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-11
授权号 ：
CN210620919U
授权日 ：
2020-05-26
发明人 ：
胡荣志黄丞佑马绍晏
申请人 ：
闳康技术检测（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1505弄138号6幢一楼
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921720230.X
主分类号 ：
C23C14/22
IPC分类号 ：
C23C14/22
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
法律状态
2020-05-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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