存储装置、半导体器件
授权
摘要
本公开提供了一种存储装置、半导体器件，属于半导体技术领域。该半导体器件包括衬底、栅极层、栅绝缘层和绝缘层，其中，衬底表面设置有多个第一沟槽和多个第二沟槽，其中，第一沟槽沿第一方向延伸且间隔设置，任一第二沟槽连接相邻的两个第一沟槽，以使得衬底的表面被隔离出阵列分布的有源区；衬底的表面还设置有多个沿第二方向延伸的栅极沟槽，任一栅极沟槽穿过第一沟槽、有源区及第二沟槽；栅极层设于栅极沟槽内；栅绝缘层设于栅极沟槽位于有源区的部分的表面与栅极层之间；绝缘层设于第二沟槽的表面与栅极层之间；其中栅绝缘层的等效氧化层厚度小于绝缘层的等效氧化层厚度。该半导体器件能够减小寄生晶体管的漏电流。
基本信息
专利标题 ：
存储装置、半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921733189.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-15
授权号 ：
CN210805732U
授权日 ：
2020-06-19
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王辉
优先权 ：
CN201921733189.X
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L27/108 H01L27/11 H01L29/423
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2020-06-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
