一种台面型AlGaN/GaN异质结双极晶体管器件
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型提供一种台面型AlGaN/GaN异质结双极晶体管器件，包括Al2O3衬底，顺序层叠于Al2O3衬底上的第一本征GaN缓冲层、第二本征GaN缓冲层、GaN衬底层、GaN集电区、GaN亚集电区、第一本征GaN阻挡层、GaN基区薄层、第二本征GaN阻挡层、AlxGa1‑xN层、AlrGa1‑rN渐变层和GaN帽层，GaN帽层至GaN亚集电区刻蚀形成左右侧梯形台面，左侧梯形台面特定区域磷离子注入，右侧梯形台面特定区域氟化硼离子注入，整个器件表面形成有氧化薄膜层，在电极接触孔位置对应的氧化薄膜层刻蚀有对应电极窗口，对应电极窗口上形成有多晶硅层，对应电极窗口处形成有电极引线。本申请能提高器件可靠性、特征频率和击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
一种台面型AlGaN/GaN异质结双极晶体管器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921767814.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-21
授权号 ：
CN209804658U
授权日 ：
2019-12-17
发明人 ：
李迈克
申请人 ：
中证博芯（重庆）半导体有限公司
申请人地址 ：
重庆市合川区草街街道嘉合大道500号
代理机构 ：
重庆信航知识产权代理有限公司
代理人 ：
穆祥维
优先权 ：
CN201921767814.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/20 H01L29/205 H01L29/737 H01L21/331
法律状态
2020-02-18 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/06
登记生效日 : 20200122
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中证博芯（重庆）半导体有限公司
变更后权利人 : 中合博芯(重庆)半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 401573 重庆市合川区草街街道嘉合大道500号
变更后权利人 : 401573 重庆市合川区信息安全产业城草街街道嘉合大道500号
登记生效日 : 20200122
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中证博芯（重庆）半导体有限公司
变更后权利人 : 中合博芯(重庆)半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 401573 重庆市合川区草街街道嘉合大道500号
变更后权利人 : 401573 重庆市合川区信息安全产业城草街街道嘉合大道500号
2019-12-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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