生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的柔性紫外探测器
授权
摘要
本实用新型公开了生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的柔性紫外探测器。所述柔性紫外探测器自下至上依次包括柔性衬底、所述柔性衬底上的一对叉指电极、所述叉指电极上方的石墨烯层以及生长在石墨烯层上面的GaN纳米柱阵列。本实用新型的柔性紫外探测器一方面利用了石墨烯/GaN纳米柱阵列材料透明、导电和柔性的特点，提高了探测器对光的收集、光电响应灵敏度；另一方面利用了一维纳米柱材料巨大的比表面积和量子限域性，提高了光生载流子的密度和传输时间。本实用新型实现了紫外探测器的透明化、柔性化，可用于智能穿戴、弯曲显示、柔性传感成像等领域，经济效益可观。
基本信息
专利标题 ：
生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的柔性紫外探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921861266.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-31
授权号 ：
CN210805800U
授权日 ：
2020-06-19
发明人 ：
李国强郑昱林王文樑唐鑫陈胜杨昱辉
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 ：
何淑珍
优先权 ：
CN201921861266.X
主分类号 ：
H01L31/101
IPC分类号 ：
H01L31/101 H01L31/0224 H01L31/0304 H01L31/0352 H01L31/18
法律状态
2020-06-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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