一种真空镀膜的三次掩膜基片台结构
授权
摘要
本实用新型涉及三次掩膜基片台技术领域，且公开了一种真空镀膜的三次掩膜基片台结构，包括掩膜箱，所述掩膜箱的顶部固定安装固定板，所述固定板顶部铆接有定位筒，所述固定板上开设有与掩膜箱内部相连通的开口槽，所述定位筒通过开口槽与掩膜箱的内部连通。本实用新型，通过拉动旋转把手，把定位块带入定位槽内，然后通过手动转动旋转把手可带动掩膜板转动，从而可控制掩膜板的角度和形状，然后通过定位销对基片架和掩膜板进行固定，即可获取三此掩膜，通过在基片台内部开设调节腔，且调节构件上套设有固定连接的阻尼块，可对调节构件起到保持稳定的作用，从而使装置打动够稳定的增加掩膜次数真空镀膜的三次掩膜基片台结构。
基本信息
专利标题 ：
一种真空镀膜的三次掩膜基片台结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921871802.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-02
授权号 ：
CN211005576U
授权日 ：
2020-07-14
发明人 ：
邹杨孙蕾邹松东
申请人 ：
洛阳奥尔材料科技有限公司
申请人地址 ：
河南省洛阳市涧西区浅井头一街坊7幢2-402室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921871802.4
主分类号 ：
C23C14/04
IPC分类号 ：
C23C14/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/04
局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物
法律状态
2020-07-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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