一种高效散热的半导体器件
授权
摘要
本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种高效散热的半导体器件，包括半导体衬底，还包括导热微纳结构、氮化物器件和氮化物层，所述氮化物器件设有若干个，所述导热微纳结构匹配所述氮化物器件设有若干个，所述氮化物器件和所述导热微纳结构相间设置于所述半导体衬底，所述氮化物器件和所述导热微纳结构紧密接合，所述氮化物层设于所述氮化物器件远离所述半导体衬底一侧，本实用新型结构简单，设计合理，相当于在氮化物器件当中嵌入导热微纳结构做为导热通道，此通道可以通过优化大小与排列，最大限度地提高氮化物外延材料综合导热性能，从而有效保证半导体器件的散热效果。
基本信息
专利标题 ：
一种高效散热的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921949544.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-12
授权号 ：
CN210489602U
授权日 ：
2020-05-08
发明人 ：
梁智文王琦刘南柳汪青张国义
申请人 ：
北京大学东莞光电研究院
申请人地址 ：
广东省东莞市松山湖园区沁园路17号1栋2单元306号
代理机构 ：
东莞恒成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
邓燕
优先权 ：
CN201921949544.7
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/373 H01L33/64 H01S5/024
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2020-05-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
