一种磁控溅射镀膜仪换样装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种磁控溅射镀膜仪换样装置，包括真空室主腔及真空室副腔，所述真空室主腔与真空室副腔之间中间腔室，所述中间腔室分别与真空室主腔与真空室副腔相连通，所述中间腔室内部设有导轨，所述导轨上配合设置导轨小车，所述导轨小车上设有基片储备盘，所述基片储备盘上沿其周向设有一组基片架，基片架上设有基片；所述导轨小车在导轨上水平移动，从而将基片架在真空室主腔与真空室副腔之间进行转移，进而实现基片的转移。本实用新型的有益效果是：通过设置中间腔室，并设置导轨及导轨小车，从而实现基片在真空室副腔和真空室主腔之间的快速高效转移，节省成本，缩减真空室空间。
基本信息
专利标题 ：
一种磁控溅射镀膜仪换样装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922160701.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-05
授权号 ：
CN211005608U
授权日 ：
2020-07-14
发明人 ：
马毅黄先伟宋宇轩俞越翎谢续友吴伊帆张泰华
申请人 ：
浙江工业大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下城区朝晖六区
代理机构 ：
杭州浙科专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
周红芳
优先权 ：
CN201922160701.2
主分类号 ：
C23C14/56
IPC分类号 ：
C23C14/56 C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/56
连续镀覆的专用设备；维持真空的装置，例如真空锁定器
法律状态
2020-07-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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