超声辅助阳极键合装置及采用该装置键合的微电子器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种超声辅助阳极键合装置及采用该装置键合的微电子器件,该键合装置包括封装结构、加压结构以及电源组件。封装结构包括中间层和两个电解层。中间层布置在器件的封装位置上,两个电解层分别盖在中间层的两端上,并与中间层围成布置器件的封装腔。加压结构包括压力杆、压板以及超声波焊头。超声波焊头固定在压板上,贴在电解层上,压力杆固定在压板上。电源组件包括超声波电源和直流电源。超声波电源使超声波焊头作用在电解层上,使电解层与中间层达到超声连接。直流电源用于向所述封装结构施加一个预设电压,使中间层和电解层实现键合。本实用新型提高密封性能和键合率,并且提高键合的稳定性和可靠性,延长器件的使用寿命。
基本信息
专利标题 :
超声辅助阳极键合装置及采用该装置键合的微电子器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922176192.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-06
授权号 :
CN210805701U
授权日 :
2020-06-19
发明人 :
阴旭刘翠荣赵浩成杨冰冰温盼张丽佛
申请人 :
太原科技大学
申请人地址 :
山西省太原市万柏林区瓦流路66号
代理机构 :
合肥市泽信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
方荣肖
优先权 :
CN201922176192.2
主分类号 :
H01L21/60
IPC分类号 :
H01L21/60 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接,用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2020-06-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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